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J-GLOBAL ID：201102299881745408   整理番号：11A0798576

a-IGZO TFTへの高圧水蒸気熱処理効果

著者 (8件)： 丸山智己 (奈良先端科学技術大学院大) ,  藤井茉美 (奈良先端科学技術大学院大) ,  堀田昌宏 (奈良先端科学技術大学院大) ,  堀田昌宏 (JST-CREST) ,  石河泰明 (奈良先端科学技術大学院大) ,  石河泰明 (JST-CREST) ,  浦岡行治 (奈良先端科学技術大学院大) ,  浦岡行治 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 58th  ページ： ROMBUNNO.26A-KL-27  発行年： 2011年03月09日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *熱処理 ,  *薄膜トランジスタ ,  *化合物半導体 ,  電子技術 ,  *蒸気処理 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： TFT【トランジスタ】 ,  *IGZO【半導体】 ,  フレキシブルエレクトロニクス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： IGZO ,  TFT ,  高圧水蒸気 ,  熱処理