特許

J-GLOBAL ID：201103000052556345

半導体装置とその製造方法

発明者： 菊地 修一 ,  西部 栄次 ,  鈴木 ▲たく▼也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008019
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217406
特許番号：特許第3831615号
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 一導電型の半導体基板上にフィールド酸化形成された第1のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜に接し、かつ第1のゲート絶縁膜よりも膜厚が薄く熱酸化形成された第2のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜上に延在して形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の一端に隣接する逆導電型ソース領域と、 チヤネル領域を介して前記ソース領域と対向し、かつ前記第1のゲート絶縁膜下に形成された逆導電型の第1の低濃度ドレイン領域と当該第1の低濃度ドレイン領域より低濃度で、かつ当該ドレイン領域に連なり前記第2のゲート絶縁膜下に形成された逆導電型の第2の低濃度ドレイン領域と、 前記ゲート電極の他端から離間され、かつ前記第2の低濃度ドレイン領域内に含まれる逆導電型の高濃度ドレイン領域と、 前記第1のゲート絶縁膜の一端部から所定間隔を存した位置から前記高濃度ドレイン領域間にまたがる領域であって、前記基板内の所定深さ位置に不純物濃度ピークを有し、基板表面に近い領域で不純物濃度が低くなるように形成された逆導電型の中濃度層を具備することを特徴とした半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 29/78 301 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-253372   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-327929   出願人：日本電気株式会社