特許
J-GLOBAL ID:201103000095160160
多孔質膜の形成方法、配線構造体及びその形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
前田 弘
, 小山 廣毅
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-017914
公開番号(公開出願番号):特開2000-216153
特許番号:特許第3888794号
出願日: 1999年01月27日
公開日(公表日): 2000年08月04日
請求項(抜粋):
【請求項1】 シリコンアルコキシドと有機化合物との混合ガスを反応性ガスとするプラズマCVD法により、基板上に有機無機複合膜を堆積する工程と、
前記有機無機複合膜に対して還元性ガスを含むガスからなるプラズマを用いるプラズマ処理を行なうことにより、前記有機無機複合膜を多孔質化した多孔質膜を形成する工程とを備えていることを特徴とする多孔質膜の形成方法。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (2件)
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集積回路誘電体及び方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-147773
出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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層間絶縁膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-227736
出願人:松下電器産業株式会社
審査官引用 (2件)
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集積回路誘電体及び方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-147773
出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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層間絶縁膜の形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-227736
出願人:松下電器産業株式会社
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