特許

J-GLOBAL ID：201103000176999717

In-Ga-Zn系酸化物焼結体スパッタリングターゲット及び薄膜トランジスタ

発明者： 矢野 公規 ,  糸瀬 将之
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-262799
公開番号（公開出願番号）：特開2011-108873
出願日： 2009年11月18日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：

【課題】大面積で均一な薄膜トランジスタパネルの製造が可能なIn-Gn-Zn系酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】In(インジウム)、Zn(亜鉛)、Ga(ガリウム)及びSn(錫)を含有し、Sn(錫)の原子比が下記式を満たす酸化物焼結体。 0.01<Sn/(In+Ga+Zn+Sn)<0.10【選択図】図1

請求項（抜粋）：

In(インジウム)、Zn(亜鉛)、Ga(ガリウム)及びSn(錫)を含有し、 Sn(錫)の原子比が下記式を満たす酸化物焼結体。 0.01<Sn/(In+Ga+Zn+Sn)<0.10

IPC (5件)：

H01L 21/363 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/08

FI (6件)：

H01L21/363 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 616K ,  C23C14/34 A ,  C23C14/08 K

Fターム (71件)：

4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC35 ,  4K029FA00 ,  4K029GA00 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103RR03 ,  5F103RR04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110QQ05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 熱電変換材料及びそれを用いた素子、並びに熱電変換材料の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-263570   出願人：日本電気株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-224309   出願人：キヤノン株式会社
• スパッタリングターゲット、光情報記録媒体用薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-258076   出願人：日鉱金属株式会社