特許
J-GLOBAL ID：201103000219976112
薄膜磁気素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-125565
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204007
特許番号：特許第3839682号
出願日： 2001年04月24日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の反強磁性層と、この第1の反強磁性層によって磁化方向が固定された固定磁性層、非磁性材料層、及び外部磁界により磁化方向が変化するフリー磁性層を有する薄膜磁気素子において、前記フリー磁性層の上層または下層に第2の反強磁性層が積層されており、前記第2の反強磁性層との交換結合により前記フリー磁性層の磁化方向が前記固定磁性層の磁化方向と交叉する方向へ向けられ、かつ前記フリー磁性層と前記第2の反強磁性層の間に、他の反強磁性層が積層され、前記他の反強磁性層が、伝導電子の平均自由行程を鏡面反射効果により延長する鏡面反射層であることを特徴とする薄膜磁気素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01)
, G01R 33/09 ( 200 6.01)
, G11B 5/39 ( 200 6.01)
, H01F 10/32 ( 200 6.01)
H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
, G11B 5/39
, H01F 10/32
