特許
J-GLOBAL ID：201103000289315210
薄膜トランジスタ基板、その製造方法および液晶表示装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188779
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013518
特許番号：特許第3464944号
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された絵素電極および付加容量とを有する薄膜トランジスタ基板であって、前記絶縁性基板上に形成された第1導電層と、前記第1導電層上に形成され、前記第1導電層の一部を露出する開口部を有する第1絶縁層と、少なくとも前記開口部内に位置する前記第1導電層上に形成された第2導電層と、前記第2導電層を覆う第2絶縁層と、少なくとも前記開口部内に位置する前記第2絶縁層を覆う、第3導電層と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に形成された第3絶縁層とを有し、前記第1導電層と前記第2導電層とが互いに電気的に絶縁され、前記第1導電層と前記第3導電層とは互いに電気的に接続されており、前記第1導電層と、前記第3絶縁層と、前記第2導電層とを含む積層構造および前記第2導電層と、前記第2絶縁層と、前記第3導電層とを含む積層構造から前記付加容量が並列に形成されている薄膜トランジスタ基板。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
