特許

J-GLOBAL ID：201103000672103138

シリコン基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 大槻 剛
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-141232
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287778
出願日： 2009年06月12日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】CL法の感度を向上させてシリコン基板を評価することで、デバイス活性領域の点欠陥を精密に非破壊検査により評価することができるシリコン基板の評価方法、及びその評価方法を用いた半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン基板表面にPN接合を作製し、PN接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うシリコン基板の評価方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、シリコン基板表面にPN接合を作製し、該PN接合が作製されたシリコン基板の空乏領域に電子線を照射して、該電子線が照射されたシリコン基板から得られる発光の波長及び強度からシリコン基板の評価を行うことを特徴とするシリコン基板の評価方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 23/225

FI (3件)：

H01L21/66 N ,  H01L21/66 Y ,  G01N23/225

Fターム (17件)：

2G001AA03 ,  2G001BA01 ,  2G001CA07 ,  2G001EA03 ,  2G001GA01 ,  2G001JA14 ,  2G001JA15 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  4M106AA01 ,  4M106AB11 ,  4M106BA02 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19 ,  4M106DH45 ,  4M106DJ38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体結晶欠陥検査方法、半導体結晶欠陥検査装置、及びその半導体結晶欠陥検査装置を用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-251719   出願人：沖電気工業株式会社, 宮城沖電気株式会社, 株式会社東レリサーチセンター
• 半導体装置の検査方法及び検査装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-138157   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 特開平3-006819
  
• 特開昭62-044652