特許

J-GLOBAL ID：201103000800961819

配線層構造及びその製造方法

発明者： 牧 一誠 ,  谷口 兼一 ,  中里 洋介
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-141440
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287791
出願日： 2009年06月12日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体又はガラス基板の下地基板1と、下地基板1上に形成された酸素含有Cu合金層2と、酸素含有Cu合金層2上に形成された、Al、Zr、Tiのうち少なくとも一種を含有する酸化物層3と、酸化物層3上に形成された、Al、Zr、Tiのうち少なくとも一種を含有するCu合金層4と、Cu合金層4上に形成された、Cu導電層5とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板又はガラス基板の下地基板と、 該下地基板上に形成された酸素含有Cu層又は酸素含有Cu合金層と、 該酸素含有Cu層又は該酸素含有Cu合金層上に形成された、Al、Zr、Tiのうち少なくとも一種を含有する酸化物層と、 該酸化物層上に形成された、Al、Zr、Tiのうち少なくとも一種を含有するCu合金層と、 を備えたことを特徴とする配線層構造。

IPC (13件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/10 ,  H01B 5/14

FI (16件)：

H01L21/88 M ,  H01L21/88 R ,  H01L21/285 S ,  H01L29/58 G ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 627E ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 617U ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/05 ,  C22C9/10 ,  H01B5/14 Z

Fターム (69件)：

4M104AA09 ,  4M104BB04 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD42 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH04 ,  4M104HH08 ,  5F033GG04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH35 ,  5F033LL09 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033MM14 ,  5F033MM15 ,  5F033PP16 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033WW04 ,  5F033XX13 ,  5F033XX28 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK13 ,  5F110HK14 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ25 ,  5G307GA06 ,  5G307GB02 ,  5G307GC02

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-379311   出願人：松下電器産業株式会社, 株式会社ルネサステクノロジ
• 密着性に優れた配線下地膜およびこの配線下地膜を含む密着性に優れた二重構造配線膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-168697   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 半導体集積回路及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141593   出願人：新日本製鐵株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-204409   出願人：富士通株式会社
• 特開平3-166731
  
• メタライゼーション構造体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164090   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-351108   出願人：株式会社ジャパンエナジー