半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-021037
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223710
特許番号：特許第3454467号
出願日： 1999年01月29日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に島状に形成された第1の多結晶シリコン膜と、該第1の多結晶シリコン膜を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記第1の多結晶シリコン膜においてTFTのソースおよびドレインとして機能する領域以外の領域に対応して前記ゲート絶縁膜上に25nm以上、80nm以下の厚さを有して形成されており、アモルファスシリコン膜に触媒元素を添加して加熱することにより結晶化した第2の多結晶シリコン膜と、該第2の多結晶シリコン膜上に形成されたゲート電極とを具備し、前記第1の多結晶シリコン膜には、TFTのソースおよびドレインとして機能する領域に接して、該領域よりも不純物濃度が低いLDD領域がそれぞれ設けられており、前記ゲート電極が、各LDD領域に対応した部分が取り除かれた状態になっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 301 , H01L 21/336 , H01L 29/40

FI (6件)：

H01L 21/28 301 A , H01L 29/40 , H01L 29/78 617 M , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 617 L , H01L 29/78 616 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-123088 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-248434
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-134657 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-123088 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-248434
特開平3-248434

全件表示

前のページに戻る