特許
J-GLOBAL ID：200903038977744191
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123088
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303129
出願日： 1997年04月26日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 微細化に対応しうる半導体装置の作製方法を提供する。【解決手段】 触媒元素の作用により非晶質半導体膜を結晶化し、横成長領域と呼ばれる結晶領域を形成する工程において、触媒元素の添加手段としてイオン注入法を用いる。そして、イオン注入法により導入される触媒元素の導入量を、イオン注入時の添加濃度またはマスクに設けられた開口部の短辺の長さによって制御する。そして、その触媒元素の導入量を必要に応じて異なるものとすることで、同一基板上に異なる成長距離を有する横成長領域を形成する。
請求項（抜粋）：
珪素を含む非晶質膜上に開口部を有する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層をマスクとして前記非晶質膜に対して珪素の結晶化を助長する触媒元素をイオン注入法により添加する工程と、加熱処理により前記非晶質膜の少なくとも一部を結晶化させ、横成長領域を形成する工程と、を少なくとも含み、前記触媒元素の導入量によって前記横成長領域の成長距離が制御されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 Z
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 627 G
, H01L 29/78 627 Z
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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