特許

J-GLOBAL ID：200903052414582902

窒化物単結晶の育成方法

発明者： 市村 幹也 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  川村 史朗
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
代理人 (2件)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-080653
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254206
出願日： 2006年03月23日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】フラックス法による窒化物単結晶育成時において、溶液の酸化による単結晶の劣化を防止することである。【解決手段】雰囲気制御用容器5の内側に外側容器4が設置され、外側容器4の内側に坩堝が設置されている。坩堝内の易酸化性物質を含む溶液の中に種結晶が浸漬されており、これから窒化物単結晶を育成する。窒化物単結晶を育成するときの雰囲気は窒素ボンベ19から供給される窒素および還元性気体のボンベ21から供給される還元性気体を含む。好ましくは、還元性気体が水素を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

易酸化性物質を含む溶液から窒化物単結晶を育成する方法であって、 前記窒化物単結晶を育成するときの雰囲気が窒素および還元性気体を含むことを特徴とする、窒化物単結晶を育成する方法。

IPC (2件)：

C30B 29/38 ,  C30B 9/00

FI (2件)：

C30B29/38 D ,  C30B9/00

Fターム (6件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077EA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06

引用特許：

出願人引用 (5件)

• GaN単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-097551   出願人：科学技術振興事業団
• III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-018507   出願人：株式会社リコー
• 窒化ガリウム単結晶の育成方法および窒化ガリウム単結晶
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2005006692   出願人：日本碍子株式会社
• 特願2004-103093
  
• III族窒化物結晶およびその製造方法、ならびにIII族窒化物結晶の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-195666   出願人：住友電気工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 窒化ガリウム結晶、窒化ガリウム結晶の結晶成長装置および窒化ガリウム結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-311110   出願人：株式会社リコー, 国立大学法人東北大学