特許
J-GLOBAL ID：200903077271973240

III族窒化物の結晶成長方法及びIII族窒化物結晶

発明者：
岩田 浩和

岩田 浩和 について

, 
皿山 正二

皿山 正二 について

, 
山根 久典

山根 久典 について

, 
島田 昌彦

島田 昌彦 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-062537
公開番号（公開出願番号）：特開2005-247657
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】 融液中のフラックス量比を所望の量比に制御することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 III族金属とフラックスと窒素とが溶解した融液28が、窒素原料ガスとフラックスガスを含む雰囲気ガスと気液界面を形成しており、該気液界面から窒素が融液中に溶解し、III族金属と窒素とからIII族窒化物31を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法であって、気液界面で融液28と接する雰囲気ガス中のフラックスガスの圧力を調整することによって、融液28中のフラックスの量比を制御してIII族窒化物31を結晶成長させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III族金属とフラックスと窒素とが溶解した融液が、窒素原料ガスとフラックスガスを含む雰囲気ガスと気液界面を形成しており、該気液界面から窒素が融液中に溶解し、III族金属と窒素とからIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法であって、気液界面で融液と接する雰囲気ガス中のフラックスガスの圧力を調整することによって、融液中のフラックスの量比を制御してIII族窒化物を結晶成長させることを特徴とするIII族窒化物の結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B11/12 ,  C30B9/10 ,  C30B29/38
FI (3件)：
C30B11/12 ,  C30B9/10 ,  C30B29/38 D
Fターム (6件)：
4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077EA04 ,  4G077EA08 ,  4G077KA03 ,  4G077MB36
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM