特許
J-GLOBAL ID:201103001276695266
単結晶成長装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
堀田 実
, 仲宗根 康晴
, 野村 俊博
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-369711
公開番号(公開出願番号):特開2001-181083
特許番号:特許第4363584号
出願日: 1999年12月27日
公開日(公表日): 2001年07月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】円筒形の試料を内部に封入した円筒形のアンプル(4)を所定の温度分布に加熱する加熱装置(10)と、アンプルの一端に直接密着するアンプル径より細い縮径部分を有しアンプル端面から熱を軸方向に放熱するヒートシンク(12)と、前記円筒形の試料を軸方向に付勢する付勢装置とを備え、
前記ヒートシンクは、アンプル端面の中心部のみから冷却する放熱部分を備える、ことを特徴とする単結晶成長装置。
IPC (1件):
FI (1件):
引用特許:
出願人引用 (2件)
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半導体結晶の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-136101
出願人:住友電気工業株式会社
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蛍石の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-104323
出願人:株式会社ニコン
審査官引用 (2件)
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半導体結晶の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-136101
出願人:住友電気工業株式会社
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蛍石の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-104323
出願人:株式会社ニコン
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