ダマシン配線を有する半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋敬四郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113286
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298084
特許番号：特許第3819670号
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下層配線構造と、前記下層配線構造を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面から形成された配線溝と、前記配線溝の内部領域の下面から前記層間絶縁膜を貫通し、前記下層配線構造まで達するビア孔と、前記ビア孔の外側の領域で、前記配線溝の下面から上方に突出し、前記層間絶縁膜と同一材料で形成された絶縁突起パターンであって、前記ビア孔近傍の第1の配線溝内領域における前記絶縁突起パターンの第1の面積占有率は前記ビア孔から離れた第2の配線溝内領域における前記絶縁突起パターンの第2の面積占有率より高い絶縁突起パターンと、前記配線溝及び前記ビア孔を導電性材料により埋め込んで形成されたデュアルダマシン配線とを有し、前記導電性材料はCuであり、前記デュアルダマシン配線はCu配線よりなり、前記第1の配線溝内領域は前記ビア孔近傍の領域に前記ビア孔を囲むように設けられ、前記第2の配線溝内領域は前記第1の配線溝内領域の外側の領域に前記第1の配線溝内領域を囲むように設けられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/522 ( 200 6.01) , H01L 21/768 ( 200 6.01) , H01L 21/3205 ( 200 6.01) , H01L 23/52 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 A

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平4-332152
特開平4-332152
特開平2-192146

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