特許
J-GLOBAL ID：201103001622798948
スパッタ成膜装置およびスパッタ膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田宮 寛祉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153603
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345335
特許番号：特許第4453850号
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空排気手段により内部が真空に排気される容器と、
ターゲットが取り付けられるカソードボディと、
前記カソードボディの前記ターゲットと反対側に位置するマグネトロン磁気回路であって、その中心に一の極性を有する磁石が位置し、前記磁石を囲うように他の極性を有する他の磁石が位置する前記マグネトロン磁気回路と、
前記マグネトロン磁気回路を揺動する駆動手段とを有するスパッタ成膜装置において、
Arガスおよび酸素ガスを前記容器内に導入する手段と、
前記駆動手段を停止させた状態で前記ターゲットをスパッタリングをした場合の前記ターゲット上のエロージョン領域の揺動方向の幅をw、前記駆動手段の揺動方向の速度の最大値をvとするとき、w/v≧1秒の関係を維持するように前記マグネトロン磁気回路を駆動する制御手段と、を有し、
前記ターゲットは少なくともIn2O3、SnO2、ZnO、カーボン、GeSbTeのうちのいずれかを含むことを特徴とするスパッタ成膜装置。
IPC (2件)：
C23C 14/35 ( 200 6.01)
, H01L 21/285 ( 200 6.01)
C23C 14/35 B
, H01L 21/285 S
