特許
J-GLOBAL ID：201103001648615302

金属配線の形成方法

発明者：
山本 明広

山本 明広 について

, 
二河 秀夫

二河 秀夫 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (2件)： 前田 弘 ,  小山 廣毅
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286226
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110895
特許番号：特許第4559565号
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上に銅を含む金属配線を形成する金属配線形成工程と、 前記基板上に前記金属配線を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、 前記絶縁膜上に、前記金属配線の上方の領域に開口部を有するレジストパターンを形成し、形成した前記レジストパターンをマスクとして、前記絶縁膜に対してフッ素を含むガスを用いてドライエッチングを行なうことにより、前記開口部に前記金属配線を露出させる金属配線露出工程と、 基板温度を120°C以下に保持するプラズマアッシングにより前記レジストパターンを除去するプラズマアッシング工程と、 前記プラズマアッシング工程よりも後に、 前記金属配線が形成された前記基板を親水性の液体により洗浄する洗浄工程と、 前記レジストアッシング工程から前記洗浄工程に移行するまでの間に、前記金属配線の露出部分を乾燥した気流にさらすことにより、前記露出部分の酸化を防止する金属配線酸化防止工程とを備え、 前記プラズマアッシング工程は、 酸素とフッ素とを含む反応性ガスを用いてアッシングを行なう第1のアッシング工程と、 前記第1のアッシング工程の後に、酸素を含み且つフッ素を含まない反応性ガスを用いてアッシングを行なう第2のアッシング工程とを含むことを特徴とする金属配線の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 104 H
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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