特許

J-GLOBAL ID：201103001664353580

セルフアラインされた縦型のバイポーラトランジスタを製造する方法

発明者： アラン・シャントル ,  ミシェル・マーティー ,  ヘレン・ボウドリー
出願人/特許権者： エスティマイクロエレクトロニクス エスエー
代理人 (1件)： 岡田 次生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-283976
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244275
特許番号：特許第3386787号
出願日： 2000年09月19日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】バイポーラトランジスタを製造する方法であって、外部ベースおよび真性ベースを有するベース領域を形成するステップと、前記真性ベース上に設けられたエミッタウィンドウ内に配置される比較的狭く低い部分を持つエミッタブロックを有するエミッタ領域を形成するステップとを含み、前記外部ベースの形成は、前記エミッタウィンドウの規定の後であって前記エミッタブロックが形成される前に実施され、該外部ベースの形成は、さらに、前記真性ベース上に絶縁層を形成するステップと、前記絶縁層上に犠牲層を形成するステップと、フォトグラフィおよびその後にエッチングを行うことによって、前記犠牲層内に穴を形成するステップと、酸化物堆積およびその後に樹脂を用いないウエハ全体の異方性エッチングを行うことによって、前記穴の縦側壁と、該縦側壁から予め定められた距離(dp)の所までの前記絶縁層とを覆うようにスペーサを形成し、該スペーサ間の隙間が前記エミッタウィンドウの幅を規定するようにするステップと、前記スペーサ間に露出している前記絶縁層をエッチングして、前記エミッタウィンドウに対応する寸法を有する開口部(OF)を形成し、該開口部の横方向の端部(fv)が前記スペーサの縦側壁(FV)に対しセルフアラインされるようにするステップと、前記スペーサ間のくぼみおよび前記開口部(OF)に酸化物を充填して、該開口部へと広がる比較的狭い下方の部分(130)と、前記絶縁層上に設けられ、前記穴の寸法に対応する比較的広い上方の部分(131)とを有する酸化物ブロックを形成するステップと、前記酸化物ブロックが前記絶縁層上に残るように前記犠牲層を除去するステップと、前記酸化物ブロックの前記上方の部分の側部において不純物打ち込みを実施して、前記外部ベースを形成するステップと、を含む方法。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/737

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/72 H ,  H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭56-126967
  
• 集積電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-330725   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-330726   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド