特許
J-GLOBAL ID：201103001908173929
コンデンサマイクロホンの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
上柳 雅誉
, 須澤 修
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-020706
公開番号（公開出願番号）：特開2002-223499
特許番号：特許第3873630号
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 バックプレートを有する単結晶シリコン基板と、前記バックプレートに対して所定の間隔を隔てて形成された電極とを有してなるコンデンサマイクロホンの製造方法であって、
(a)前記単結晶シリコン基板の表面に少なくとも前記バックプレート兼貫通穴相当部が開口部となっているドープマスクを形成する工程、
(b)前記単結晶シリコン基板の表面が露出した部分に所定深さまでホウ素を高濃度にドープする工程、
(c)前記単結晶シリコン基板に、前記バックプレート及びダイアフラムに対して選択的にエッチングする犠牲層膜として、プラズマCVDによるSiO2膜を形成する工程、
(d)前記犠牲層膜に、スパッタによるPoly-Si膜のダイアフラムを成膜し、ホウ素をドープする工程、
(e)前記単結晶シリコン基板の裏面にエッチングにより、所定深さの凹部を形成する工程、
(f)前記単結晶シリコン基板の前記バックプレート及び前記ダイアフラム間の犠牲層膜を選択的にエッチングし、任意に隔てた空間を形成する工程、
とからなることを特徴とするコンデンサマイクロホンの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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