特許
J-GLOBAL ID：201103002217883438

半導体装置およびその作製法

発明者：
前田 就彦

前田 就彦 について

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名西 △惠▽之

名西 △惠▽之 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について

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学校法人立命館

学校法人立命館 について


代理人 (2件)： 小林 茂 ,  阪間 和之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-020134
公開番号（公開出願番号）：特開2011-159795
出願日： 2010年02月01日
公開日（公表日）： 2011年08月18日
要約：
【課題】窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、オーミック接触抵抗を大きく低減し、同時に、ソース電極2からチャネルまでの抵抗(アクセス抵抗)を大きく低減し、その結果として、高速化および低損失化(低消費電力化)が可能となる半導体装置およびその作製法提供すること。【解決手段】ソース電極2とドレイン電極4とに、それぞれオーミック接触し、チャネル層窒化物半導体よりも小さいバンドギャップを有する再成長窒化物半導体(2)と、前記チャネル層窒化物半導体との間を、再成長組成傾斜窒化物半導体(1)を介して接続することによって、ソース電極2とチャネルとの間、および、ドレイン電極4とチャネルとの間を、それぞれ結ぶ電路中の半導体バンドギャップの不連続が解消されていることを特徴とするヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタである半導体装置において、 ソース電極とオーミック接触するソース側窒化物半導体、および、ドレイン電極とオーミック接触するドレイン側窒化物半導体のバンドギャップが、チャネルを形成する窒化物チャネル層半導体のバンドギャップよりも小さく、かつ、 前記ソース側窒化物半導体と前記窒化物チャネル層半導体との間、および、前記ドレイン側窒化物半導体と前記窒化物チャネル層半導体との間を、それぞれ、組成が連続的に変化する組成傾斜窒化物半導体を介して接続することによって、前記ソース電極と前記チャネルとの間、および、前記ドレイン電極と前記チャネルとの間を、それぞれ結ぶ電路中の半導体バンドギャップの不連続が解消されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (4件)：
H01L29/80 Q ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J
Fターム (28件)：
4M104AA04 ,  4M104CC01 ,  4M104FF31 ,  4M104GG12 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GL09 ,  5F102GL16 ,  5F102GL18 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR06 ,  5F102GR08 ,  5F102GR15 ,  5F102GR17 ,  5F102GT03 ,  5F102HC02 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (3件)

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