絶縁膜形成材料、絶縁膜形成方法及び半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150102
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340557
特許番号：特許第3483500号
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】次式(I)により表される繰り返し単位を含むシラザン型重合体:;;化1::(上式において、R1、R2及びR3は、互いに同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、水素原子を表すかもしくは置換もしくは非置換の、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、但し、置換基R1、R2及びR3のうちの少なくとも1個は水素原子であり、そしてnは、当該シラザン型重合体が100〜50,000の数平均分子量を有するのに必要な繰り返し単位の数である)、及び次式(II)により表される、分子構造内に立体的な空隙を有するシリコン化合物:;;化2::(上式において、R1、R2、R3及びR4は、互いに同一もしくは異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、置換もしくは非置換のアルコキシ基、水酸基及び脂環式炭化水素基からなる群から選ばれた一員を表し、但し、置換基R1、R2、R3及びR4のうちの1員〜3員はアダマンチル環含有基でありかつ、R1、R2、R3及びR4のうちの3員が脂環式炭化水素基である場合、残りの一員はアルコキシ基又は水酸基である)の反応生成物を含んでなることを特徴とする絶縁膜形成材料。

IPC (4件)：

H01L 21/312 , C07F 7/04 , C08G 77/62 , C08L 83/16

FI (5件)：

H01L 21/312 C , H01L 21/312 N , C07F 7/04 E , C08G 77/62 , C08L 83/16

引用特許：

出願人引用 (4件)

低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-115082 出願人：触媒化成工業株式会社
絶縁膜形成方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-084133 出願人：富士通株式会社
絶縁膜の形成材料及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-083682 出願人：富士通株式会社

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