特許
J-GLOBAL ID：200903010485993410
低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液および低誘電率被膜付基材
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-115082
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302595
出願日： 1998年04月24日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：
【要約】【課題】 誘電率が3以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。【解決手段】 (i)フェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)下記一般式(I)で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式(II)で示されるハロゲン化シランの加水分解物と、下記一般式(III)で示されるポリシラザンとの反応物であるポリシロキサザンとを含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。【化1】
請求項（抜粋）：
(i)フェニル基を有するシリカ系微粒子と、(ii)下記一般式(I)で示されるアルコキシシランおよび/または下記一般式(II)で示されるハロゲン化シランの加水分解物と、下記一般式(III)で示されるポリシラザンとの反応物であるポリシロキサザンとを含有することを特徴とする低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液。XnSi(OR1)4-n (I)XnSiX'4-n (II)【化1】(Xは、水素原子、フッ素原子、または炭素数1〜8のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基またはビニル基を表し、R1、R2、R3およびR4は、水素原子または炭素数1〜8のアルキル基、アリール基またはビニル基を表し、X'はハロゲン原子を表す。また、mは整数、nは0〜3の整数である。)
IPC (4件)：
C09D183/00
, C09D 5/25
, H01L 21/316
, C09C 1/28
C09D183/00
, C09D 5/25
, H01L 21/316 G
, C09C 1/28
