特許
J-GLOBAL ID：201103002581230458

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
中井 弘人

中井 弘人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254832
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084800
特許番号：特許第3859912号
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルを配列してなるメモリセルアレイと、 このメモリセルアレイのメモリセル選択を行うデコード回路と、 前記メモリセルアレイの読み出しデータをセンスし書き込みデータをラッチするセンスアンプ回路と、 データの書き込み及び消去に応じて昇圧された駆動電圧を発生する駆動電圧発生回路と、 この駆動電圧発生回路から発生される駆動電圧により駆動される信号線の電位を検出することにより、前記メモリセルアレイの不良メモリセルが含まれるブロックを検出して一時記憶する不良ブロック検出回路と、 前記メモリセルアレイの消去単位での一括消去又は書き込み単位での一括書き込みを制御し、前記不良ブロック検出回路の検出出力に基づいて不良メモリセルへの駆動電圧供給の停止を制御する制御回路とを有し、 前記デコード回路は、前記メモリセルアレイのワード線を選択駆動するロウデコーダと、ビット線を選択するカラムデコーダを有し、前記制御回路から発生される不良メモリセルへの駆動電圧供給の停止を制御する制御信号は、前記ロウデコーダ内のラッチ回路に保持される ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (12件)：
G11C 29/12 ( 200 6.01) ,  G11C 29/34 ( 200 6.01) ,  G01R 31/28 ( 200 6.01) ,  G01R 31/3185 ( 200 6.01) ,  G11C 16/04 ( 200 6.01) ,  G06F 12/16 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8247 ( 200 6.01) ,  H01L 27/115 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01)
FI (11件)：
G11C 29/00 673 Z ,  G11C 29/00 673 P ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 W ,  G11C 17/00 622 E ,  G06F 12/16 330 A ,  G11C 17/00 633 A ,  G11C 17/00 633 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 481
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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