特許

J-GLOBAL ID：200903049481919783

半導体装置および半導体装置を制御する方法

発明者： 山内 寛行 ,  赤松 寛範 ,  岩田 徹 ,  楠本 馨一 ,  高橋 学志 ,  寺田 裕 ,  平田 貴士
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-014656
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275495
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 リーク電流を遮断することにより、電力消費を低減することのできる半導体装置およびその制御方法を提供する。【解決手段】 半導体装置100は、複数の回路ブロック8aを含むアレイ部8と、アレイ部8において生じているリーク電流を回路ブロック8aを単位として遮断するリーク電流遮断部12と、リーク電流遮断情報に応じて、リーク電流遮断部12を制御する制御部16とを備えている。

請求項（抜粋）：

複数の回路ブロックを含むアレイ部と、前記アレイ部の前記複数の回路ブロックのうち少なくとも1つにおいて生じているリーク電流を遮断するリーク電流遮断部と、リーク電流遮断情報に応じて、前記リーク電流遮断部を制御する制御部とを備えた半導体装置。

IPC (2件)：

G11C 29/00 603 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 29/00 603 N ,  G11C 11/34 341 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-298862   出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-105413   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体記憶装置とそれを用いたメモリモジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-031403   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社