特許
J-GLOBAL ID：201103002773244673
シリコン貫通ビア構造を有する半導体ウェハーの研磨方法、及びそれに使用する研磨組成物
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 砂川 克
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-055316
公開番号（公開出願番号）：特開2011-066383
出願日： 2010年03月12日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：
【課題】シリコン貫通ビア構造を有する半導体ウェハーに対し、シリコン構成の精密研磨と導電材構成の精密研磨とを共に行う、シリコン貫通ビア構造を有する半導体ウェハーの研磨方法を提供すること、及びそれに使用する研磨組成物を提供する。【解決手段】有機アルカリ化合物と、亜塩素酸ナトリウム及び臭素酸カリウムからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化剤と、それらの溶剤と、酸化シリコンの研磨粒子とを含有する研磨組成物で、シリコン貫通ビア構造を有する半導体ウェハーの表面に対して研磨を行い、前記半導体ウェハーの表面にあるシリコン構成、及び、研磨に伴ってシリコン構成から現出する導電材構成を同時に取り除く、シリコン貫通ビア構造を有する半導体ウェハーの研磨方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
有機アルカリ化合物と、亜塩素酸ナトリウム及び臭素酸カリウムからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化剤と、それらの溶剤と、酸化シリコンの研磨粒子とを含有する研磨組成物で、シリコン貫通ビア構造を有する半導体ウェハーの表面に対して研磨を行い、前記半導体ウェハーの表面にあるシリコン構成、及び、研磨に伴ってシリコン構成から現出する導電材構成を同時に取り除くことを特徴とするシリコン貫通ビア構造を有する半導体ウェハーの研磨方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/304 622D
, B24B37/00 H
, H01L21/304 622X
3C058AA07
, 3C058CB01
, 3C058CB04
, 3C058CB07
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
