特許

J-GLOBAL ID：201103002837293223

テラヘルツ波帯用の窓部材、試料容器、検出発生装置、基板材料、並びに、単結晶シリコンカーバイドの透過特性の算出方法及び評価方法

発明者： 齋藤 伸吾 ,  溝口 幸司 ,  富田 卓朗
出願人/特許権者： 独立行政法人情報通信研究機構 ,  国立大学法人徳島大学
代理人 (1件)： 新保 斉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-296356
公開番号（公開出願番号）：特開2011-149698
出願日： 2009年12月25日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：

【課題】強度、化学的安定性、使用上の利便性を兼ね備え、テラヘルツ波帯を中心とする帯域の電磁波を、精度良く検出または発生する装置の窓部材、また、それを備える試料容器及び検出発生装置、テラヘルツ波帯の電磁波で動作するデバイスの基板材料、並びに、その窓部材等として提案する単結晶シリコンカーバイドの透過特性の算出方法及び評価方法を提供すること。【解決手段】単結晶シリコンカーバイドを、テラヘルツ波帯の電磁波を透過する窓部材に用いる。単結晶シリコンカーバイドの透過特性の算出には、対象とする単結晶シリコンカーバイドのキャリア濃度を、誘電関数に適用して透過特性を求める。単結晶シリコンカーバイドの評価には、透過特性から屈折率に関する情報を求め、窓部材材料としての特性を評価する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

テラヘルツ波帯の電磁波を検出または発生する装置の窓部材であって、 単結晶シリコンカーバイドを、テラヘルツ波帯の電磁波を透過する窓部材に用いた ことを特徴とするテラヘルツ波帯用の窓部材。

IPC (2件)：

G01N 21/35 ,  G01N 21/01

FI (2件)：

G01N21/35 Z ,  G01N21/01 Z

Fターム (5件)：

2G059AA05 ,  2G059DD12 ,  2G059EE01 ,  2G059EE12 ,  2G059HH01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電磁波を用いる検査装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-197526   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

• 短波長遠赤外レーザー光に対するSiCの光学定数測定 Measurements of optical constants of SiC forshor
• “Potentials of SiC as a Gyrotron Window Material”
• “Measurement of the optical absorption spectra of epitaxial graphene from terahertz to visible”
• “Ultrathin Epitaxial Graphite: 2D Electron Gas Properties and a Route toward Graphene-based Nanoele