特許

J-GLOBAL ID：201103002895613483

半導体装置

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-079327
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228695
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】半導体装置が、絶縁膜と、絶縁膜上において該絶縁膜と接する第1の金属酸化物膜と、第1の金属酸化物膜と一部が接する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体膜と一部が接する第2の金属酸化物膜と、第2の金属酸化物膜上において該第2の金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁膜と、 前記絶縁膜上において該絶縁膜と接する第1の金属酸化物膜と、 前記第1の金属酸化物膜と一部が接する酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、 前記酸化物半導体膜と一部が接する第2の金属酸化物膜と、 前記第2の金属酸化物膜上において該第2の金属酸化物膜と接するゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、を有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/363 ,  H01L 21/316 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14

FI (11件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/363 ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 Y ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z

Fターム (118件)：

2H092GA35 ,  2H092GA48 ,  2H092GA50 ,  2H092GA55 ,  2H092GA60 ,  2H092JA25 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA33 ,  2H092JB56 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA13 ,  2H092NA11 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107EE03 ,  3K107EE04 ,  3K107FF14 ,  3K107FF19 ,  5F058BA20 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF07 ,  5F058BF12 ,  5F058BH01 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL13 ,  5F103NN05 ,  5F103PP01 ,  5F103PP03 ,  5F103RR04 ,  5F103RR07 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD07 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG07 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜トランジスタ、その製造方法及び薄膜トランジスタを備える平板表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-044309   出願人：三星モバイルディスプレイ株式會社
• 薄膜電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-159841   出願人：富士フイルム株式会社
• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-020983   出願人：キヤノン株式会社