特許
J-GLOBAL ID：200903005853202387

電界効果型トランジスタ

発明者：
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-020983
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201366
出願日： 2006年01月30日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】良好なトランジスタ特性と動作安定性を併せ持つ薄膜トランジスタを実現することを目的とする。【解決手段】基板上に、ゲート、ソース、ドレインの各電極15、13、14が形成されてなる電界効果型トランジスタにおいて、In、Zn又はSnを主成分とした酸化物からなるチャネル層11と、チャネル層11とゲート電極15の間に配されるゲート絶縁層12と、を有し、ゲート絶縁層12が、Gaを主成分としたアモルファス酸化物からなることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを有する電界効果型トランジスタにおいて、 In、Zn及びSnから選択される少なくとも一種を含む酸化物半導体からなるチャネル層と、 当該チャネル層と前記ゲート電極の間に配されるゲート絶縁層と、を有し、 当該ゲート絶縁層が、Gaを主成分とするアモルファス酸化物を備えていることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (2件)：
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B
Fターム (37件)：
5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110AA14 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF05 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM