特許
J-GLOBAL ID：201103003335224658

アモルファスカーボン膜を含む積層構造を形成する方法及び装置

発明者：
岡田 充弘

岡田 充弘 について

, 
東條 行雄

東條 行雄 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-009705
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181903
出願日： 2011年01月20日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にSi-C結合を含む初期層を形成する工程(t4)と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程(t6)と、を具備する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法であって、 前記下地層の表面にSi-C結合を含む初期層を形成する工程と、ここで前記下地層上に有機系シリコンガスを供給することと、 前記初期層が表面に形成された前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程と、ここで前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給することと、 を具備する方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/34
FI (5件)：
H01L21/205 ,  H01L21/31 B ,  C23C16/26 ,  C23C16/32 ,  C23C16/34
Fターム (45件)：
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030BA27 ,  4K030BA35 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030BB12 ,  4K030BB13 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F045AA05 ,  5F045AA06 ,  5F045AA20 ,  5F045AB06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF08 ,  5F045BB17 ,  5F045CB06 ,  5F045DC52 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045HA16 ,  5F045HA22
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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