特許
J-GLOBAL ID：200903072339409265

アモルファスカーボン層の堆積方法

発明者：
ケヴィン フェアバーン

ケヴィン フェアバーン について

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マイケル ライス

マイケル ライス について

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ティモシー ウィードマン

ティモシー ウィードマン について

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クリストファー エス. ンガイ

クリストファー エス. ンガイ について

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イアン スコット ラッチフォード

イアン スコット ラッチフォード について

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クリストファー デニス ベンチャー

クリストファー デニス ベンチャー について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-042049
公開番号（公開出願番号）：特開2002-012972
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：
【要約】【課題】 アモルファスカーボン膜を用いた集積回路の形成方法。【解決手段】 炭化水素化合物と不活性ガスを含む混合ガスを熱分解することにより、アモルファスカーボン層が形成される。このアモルファスカーボン膜は集積回路製造工程に適合している。1つの集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜はハードマスクとして使用される。別の集積回路製造工程では、アモルファスカーボン膜は深紫外線(DUV)リソグラフィのための反射防止膜(ARC)である。さらに別の集積回路製造工程では、多層アモルファスカーボン反射防止膜がDUVリソグラフィのために用いられる。
請求項（抜粋）：
基板上にアモルファスカーボン層を形成する方法であって、堆積チャンバ内に基板を配置するステップと、堆積チャンバへ混合ガスを供給するステップであり、該混合ガスには1つ以上の炭化水素化合物及び不活性ガスを含むステップと、混合ガスを加熱して、混合ガス中の1つ以上の炭化水素化合物を熱分解し、基板上にアモルファスカーボン層を形成するステップとを備える方法。
IPC (4件)：
C23C 16/26 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4件)：
C23C 16/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 574
Fターム (43件)：
4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA14 ,  4K030JA16 ,  4K030LA15 ,  5F004AA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DB30 ,  5F004EA03 ,  5F004EA22 ,  5F004EB03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045CB06 ,  5F045DA64 ,  5F045DA68 ,  5F045DP03 ,  5F046PA11
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (12件)
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