特許
J-GLOBAL ID：201103003439069352
半導体発光素子、およびそれを用いた照明装置、ならびに半導体発光素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
勝沼 宏仁
, 中村 行孝
, 横田 修孝
, 伊藤 武泰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052809
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187787
出願日： 2010年03月10日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】改善された輝度特性を有する半導体発光素子、およびそれを用いた照明装置、ならびにその半導体素子の製造方法の提供。【解決手段】化合物半導体層と、その上に形成された複数の開口部を有する金属電極層と、さらにその上に形成された特定の光取り出し層を具備する半導体発光素子。金属電極層は特定の大きさの開口部を有している。また、光取り出し層は、金属電極層を被覆する20〜70nmの厚さのもの、または表面に凹凸構造が形成されており、金属電極層の表面から凸部頂点までの高さが200nm以上700nm以下のものとされる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
結晶基板と、
前記結晶基板の一方の面に形成された化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上に形成された、膜厚が10nm以上50nm以下である金属電極層と、
前記金属電極層の上に形成された光取り出し層と、
前記結晶基板の反対側面に形成された対抗電極と、
を具備する半導体発光素子であって、
前記金属電極層が、
任意の2点間が切れ目無く連続した金属部位と、
前記金属電極層を貫通し、円相当平均直径が10nm以上5μm未満である複数の開口部を有しており、
前記光取り出し層が、
前記金属電極層の金属部位を少なくとも部分的に被覆しており、
20nm以上120nm以下の膜厚を有している
ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
5F041AA04
, 5F041AA33
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA37
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA99
, 5F041CB36
, 5F041FF11
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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