特許
J-GLOBAL ID：200903071427635244

半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ

発明者：
大澤 弘

大澤 弘 について

, 
福永 修大

福永 修大 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (7件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-041086
公開番号（公開出願番号）：特開2007-220972
出願日： 2006年02月17日
公開日（公表日）： 2007年08月30日
要約：
【課題】光取り出し効率に優れた半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。【解決手段】n型半導体層12、発光層13、p型半導体層14、酸化チタン系導電膜層15、透光性導電膜層16がこの順で積層された半導体発光素子1であって、酸化チタン系導電膜層15表面の少なくとも一部に凹凸面が形成された構成としている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層、発光層、p型半導体層、酸化チタン系導電膜層、透光性導電膜層がこの順で積層された半導体発光素子であって、 前記酸化チタン系導電膜層表面の少なくとも一部に凹凸面が形成されてなることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許第2836687号公報
審査官引用 (11件)
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