特許

J-GLOBAL ID：201103003631962320

MIM型の冷陰極素子及びその製造方法

発明者： 本郷 廣生 ,  落合 幸徳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192755
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023511
特許番号：特許第3304925号
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に順次に第1電極層、絶縁層及び第2電極層を多層成膜させてなる電子放出面を有するMIM型の冷陰極素子において、前記第1電極層が、金属又は半導体層からなり、前記絶縁層上の全面に、シート状の金属層を設け、前記シート状の金属層上に、所定の間隔でパターン形成されてなる前記第2電極層を有し、且つ前記第2電極層の間の被電極金属層を、前記電子放出面とすることを特徴とするMIM型の冷陰極素子。

IPC (2件)：

H01J 1/312 ,  H01J 9/02

FI (2件)：

H01J 9/02 M ,  H01J 1/30 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電子放出素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-195754   出願人：株式会社東芝