特許

J-GLOBAL ID：201103004249247765

基準セルアレイを有する不揮発性半導体メモリ装置

発明者： 崔 寿 煥
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-370994
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195281
特許番号：特許第3911376号
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 メモリセルの状態を検出し、前記メモリセルに書き込まれたデータを検証するための基準セルを有する半導体メモリ装置において、 複数の前記メモリセルで構成されたメモリセルアレイと、 前記メモリセルと同一の大きさを有する直列連結された第1及び第2基準セルから成る基準セルアレイと、 前記複数のメモリセルのプログラム、消去、読み出し、及びプログラム検証、消去検証、過消去検証を含む検証の各動作モードを制御するためのメモリセル制御部と、 前記プログラム、消去、読み出し、及びプログラム検証、消去検証、過消去検証を含む検証の各動作モード時に前記第1及び第2基準セルを制御するための基準セル制御部と、 前記メモリセルアレイと前記基準セルアレイから供給された電流を受け入れて、選択された前記メモリセルの前記データを感知する感知増幅部とを含み、 前記第1及び第2基準セルは、読み出しモードでは、前記基準セル制御部によって直列に連結されて選択され前記メモリセルと同一のゲート電圧が印加されて読み出され、検証モードでは、前記基準セル制御部によって1つのみが選択されて各検証モードに対応するゲート電圧が印加されて読み出されることを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (1件)：

G11C 16/06 ( 200 6.01)

FI (1件)：

G11C 17/00 634 E

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-081458   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-165795
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186438   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-081458   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-165795
  
• 特開昭62-165795
  
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186438   出願人：株式会社東芝