セラミック基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-240414
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068599
特許番号：特許第4034913号
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体素子を搭載するための略円板状のセラミック基板の側面に、前記半導体素子の電極を外部に接続するためのメタライズ端子が形成された切り欠き部を有して成るセラミック基板の製造方法であって、前記セラミック基板用の製品領域と該製品領域を囲繞する捨て代領域とから成り、前記製品領域と前記捨て代領域との間に前記切り欠き部用の穴を有するとともに、該穴の内壁に前記メタライズ端子用のメタライズ層が付着されて成るセラミック焼結体を得た後、該セラミック焼結体の前記捨て代領域を研削除去して前記セラミック基板を得ることを特徴とするセラミック基板の製造方法。

IPC (3件)：