特許
J-GLOBAL ID：201103004992333528
半導体発光素子の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-124409
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315819
特許番号：特許第3881473号
出願日： 1999年04月30日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)ウェハ状の基板上にn形半導体層およびp形半導体層を含み発光層を形成する半導体層を積層し、
(b)前記積層される半導体層の表面側の前記p形半導体層上に透明電極を形成すると共に、前記積層される半導体層の一部を除去して露出する前記n形半導体層上に第1の電極用金属膜を設け、
(c)前記透明電極および第1の電極用金属膜が設けられたウェハの表面にパシベーション膜を設け、
(d)該パシベーション膜の前記第1の電極用金属膜の部分および前記透明電極上のパッド電極の形成場所を開口し、
(e)前記ウェハをメッキ液に浸漬し、該ウェハのn形層とオーミックコンタクトするように設けられた電極と、前記メッキ液に浸漬する電極との間に電圧を印加することにより、前記n形層およびp形層を電流路として前記第1の電極用金属膜の部分および透明電極上にそれぞれパッド電極を形成する
ことを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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