特許
J-GLOBAL ID：201103005209960503
半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-269358
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094067
特許番号：特許第3400756号
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板上に表面が凹凸のポリシリコンから成るキャパシタ電極を形成するための方法であって、前処理として、アモルファスシリコン表面に付着した自然酸化膜を除去する工程と、所定の温度まで前記アモルファスシリコンをヒートアップする工程と、所定の濃度のSiH4を前記アモルファスシリコンに吹き付け、表面にアモルファスシリコン/ポリシリコン混相活性層を形成する工程と、前記アモルファスシリコン/ポリシリコン混相活性層を所定の温度でアニールする工程であって、それによって、キャパシタ電極表面全体が凹凸のHSGを形成するポリシリコンとなるところの工程と、HSGが形成された後、所定の濃度のPH3を流しながら前記半導体基板をヒートアップし、所定の温度まで達した後所定の時間の間PH3アニールする工程と、PH3の替わりにNH3ガスを続けて流し、前記ポリシリコンの表面を所定の温度で窒化処理する工程と、から成る方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8242
, H01L 27/108
