特許
J-GLOBAL ID:201103005230697669

半導体装置及び半導体装置用基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外6名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-182804
公開番号(公開出願番号):特開2001-015628
特許番号:特許第3494593号
出願日: 1999年06月29日
公開日(公表日): 2001年01月19日
請求項(抜粋):
【請求項1】 エリアアレイ状に配置された複数の第1の貫通孔を有する絶縁基板で、且つ、前記絶縁基板の一の面に前記各第1の貫通孔開口部全面を覆う導電性のランド部を有する配線パターンが形成された半導体装置用基板において、前記絶縁基板の、互いに隣接して並ぶ関係にある4つの前記第1の貫通孔によって囲まれる領域のうちの少なくとも1つに、実装後の基板変形を防止するための第2の貫通孔が形成されており、且つ、該第2の貫通孔の開口部の形状が円形でないことを特徴とする半導体装置用基板。
IPC (1件):
H01L 23/12 501
FI (1件):
H01L 23/12 501 W
引用特許:
審査官引用 (3件)

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