特許
J-GLOBAL ID：201103005340155675

改良された閾値下の振れを有するトンネル電界効果トランジスタ

発明者：
アンネ・エス・フェルフルスト

アンネ・エス・フェルフルスト について


出願人/特許権者：
アイメック

アイメック について


代理人 (4件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-225452
公開番号（公開出願番号）：特開2011-100986
出願日： 2010年10月05日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：
【課題】閾値下の振れが改良され、供給電圧が更に低減されたトンネル電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】高ドープドレイン領域3、低ドープチャネル領域2、高ドープソース領域1及び、高ドープソース領域1と接触する低ドープチャネル領域2の少なくとも一部を覆うゲート誘電体10およびゲート電極9を有し、ソース-チャネル界面12におけるゲート誘電体10の膜厚は、ソース-チャネル界面12から所定の距離離れたチャネル2上のゲート誘電体10の膜厚より小さい。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
トンネル電界効果トランジスタ(TFET)デバイスであって、 高ドープのドレイン領域(3)と、 長手方向を有しドレイン領域に接触するアンドープまでの低ドープのチャネル領域(2)と、 チャネル領域(2)と接触する高ドープのソース領域(1)であって、ソース領域(1)とチャネル領域(2)との間のコンタクトがソース-チャネル界面(12)を形成するソース領域(1)と、 長手方向に沿って、ソース領域(1)とチャネル領域(2)の少なくとも一部を覆うゲート誘電体(10)およびゲート電極(9)であって、ゲート電極(9)はゲート誘電体(10)の上に位置し、ゲート電極(10)を越えて延びないゲート誘電体(10)およびゲート電極(9)と、を少なくとも含み、 実効ゲート誘電体膜厚tgd,effは、ソース-チャネル界面(12)において、ソース-チャネル界面(12)から所定の距離のチャネル(2)の上より小さく、実効ゲート誘電体膜厚tgd,effの増加は、ゲート誘電体(10)の物理的な膜厚tgdを少なくとも変える手段により得られるTFETデバイス。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/66
FI (6件)：
H01L29/78 622 ,  H01L29/78 617S ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 T
Fターム (36件)：
5F110AA09 ,  5F110BB13 ,  5F110CC09 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF27 ,  5F110GG22 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ16 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK05 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK27 ,  5F110HM12 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (2件)

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