トンネル電界効果トランジスタを用いたメモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-131539
公開番号（公開出願番号）：特開2008-021970
出願日： 2007年05月17日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：

【課題】抵抗メモリの一種として挙げられ、抵抗記憶素子に相変化材料を用いた相変化メモリを提供する。【解決手段】メモリは、第1ドレイン124と第1ソース122aとを含む第1トンネル電界効果トランジスタ108aを含んでいる。上記第1ドレインは、第1抵抗記憶素子106aに結合されている。上記メモリは、第2トンネル電界効果トランジスタ108bを含んでいる。上記第2トンネル電界効果トランジスタは、第2ドレインを含み、上記第1ソース122aを共有している。上記第2ドレインは、第2抵抗記憶素子に結合されている。上記メモリは、ソースノードを設けるために、上記第1ソースに結合されている第1領域114を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1ドレインと第1ソースとを含み、上記第1ドレインが第1抵抗記憶素子に結合されている第1トンネル電界効果トランジスタと、第2ドレインを含み、上記第1ソースを共有し、上記第2ドレインが、第2抵抗記憶素子に結合されている第2トンネル電界効果トランジスタと、ソースノードを設けるために、上記第1ソースに結合されている第1領域とを含むメモリ。

IPC (7件)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , H01L 21/824 , H01L 45/00 , H01L 29/66 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (8件)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 451 , H01L27/10 447 , H01L45/00 A , H01L29/66 T , H01L29/78 301J , H01L29/78 613B , H01L29/78 622

Fターム (34件)：

4M119AA11 , 4M119AA13 , 4M119DD32 , 4M119DD45 , 4M119EE21 , 4M119EE26 , 5F083FZ10 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA13 , 5F083HA02 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA16 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB08 , 5F110BB13 , 5F110CC02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110GG37 , 5F110GG60 , 5F110NN71 , 5F140AA24 , 5F140AA39 , 5F140AB00 , 5F140AC13 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BB13 , 5F140BH30

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-356012 出願人：日産自動車株式会社
共振トンネル電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-094564 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
集積メモリデバイスおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-198146 出願人：インフィネオンテクノロジーズアクチエンゲゼルシャフト

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