特許
J-GLOBAL ID：201103005342409291
半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
, 河野 哲
, 中村 誠
, 河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373531
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189077
特許番号：特許第4253097号
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1及び第2のコマンドを入力し、メモリセルアレイからのランダムなデータの読み出しと書き込みをクロック信号に同期して行う半導体記憶装置であって、
コントローラと、前記コントローラにより制御され前記第1のコマンドをデコードするアッパー側のデコーダと、前記コントローラにより制御され前記第2のコマンドをデコードするロワー側のデコーダとを含むコマンドデコーダを備え、
連続する2つのクロックサイクルで、前記第1のコマンドとデータ読み出しのための前記第2のコマンドとを1つのパケットとして受け取るようにして成り、
前記コマンドデコーダは、
前記第1のコマンドで読み出しか書き込みかの定義を行うとともに、前記メモリセルアレイのアッパー側のデコードアドレスを取り込むための制御を行い、
前記第2のコマンドで前記メモリセルアレイのロワー側のデコードアドレスを取り込む制御を行うものであり、
前記第1のコマンドが与えられてから、ワード線を選択し、読み出したデータの増幅を行い、前記第2のコマンドが与えられるとカラム選択線を選択し、
前記第1のコマンドが与えられてから読み出したデータを増幅するまでの一定時間が前記クロック信号のサイクルタイムよりも長い時に、前記カラム選択線が選択されて活性化する時刻が前記一定時間の経過後になるように、ゲーティング信号によって前記カラム選択線の活性化を制御する手段を備える
ことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
G11C 11/4076 ( 200 6.01)
, G11C 11/401 ( 200 6.01)
, G11C 11/407 ( 200 6.01)
G11C 11/34 354 C
, G11C 11/34 362 C
, G11C 11/34 362 S
