特許

J-GLOBAL ID：201103005373742380

半導体記憶装置

発明者： 藤田 真盛
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-105953
公開番号（公開出願番号）：特開2000-298994
特許番号：特許第3535766号
出願日： 1999年04月13日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 格子状に配置された複数個のセンスアンプと、行を構成する複数個の前記センスアンプに接続された複数組の第1のデータ入出力線対と、前記各第1のデータ入出力線対に接続された複数個のスイッチ素子と、外部から入力された列選択信号に関連づけて複数個の前記スイッチ素子のうちから1個をオン状態とする選択手段と、前記各スイッチ素子に接続された第2のデータ入出力線対と、この第2のデータ入出力線対を伝達する信号を増幅する増幅回路と、前記複数個のセンスアンプのうち1個が前記第1のデータ入出力線対及び前記第2のデータ入出力線対を介して前記増幅回路に電気的に接続されている期間中に前記第2のデータ入出力線対の電位をプルアップするプルアップ手段と、を有し、前記第2のデータ入出力線対の前記増幅回路と前記プルアップ手段との間には、少なくとも1個の前記スイッチ素子との接続点が設けられていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/417 ,  G11C 5/02 ,  G11C 11/409 ,  G11C 16/06

FI (4件)：

G11C 5/02 ,  G11C 11/34 305 ,  G11C 11/34 354 R ,  G11C 17/00 634 Z

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-023593
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-102231   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-258408   出願人：日本電気株式会社