特許
J-GLOBAL ID：201103005805824510
強誘電体不揮発性メモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-239943
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068633
特許番号：特許第3390704号
出願日： 1999年08月26日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁性基板上にストライプ状に形成されたSi薄膜を用いてMOS型又はMIS型の電界効果トランジスタを作成し、このトランジスタのSi薄膜の厚さ方向側上方に強誘電体キャパシタを積層し、トランジスタのゲート電極と強誘電体キャパシタとを接続した構成の強誘電体不揮発性メモリであって、前記Si薄膜の厚さ方向に前記トランジスタのソース,チャネル,ドレイン領域を形成してなることを特徴とする強誘電体不揮発性メモリ。
IPC (5件)：
H01L 27/105
, H01L 21/8247
, H01L 29/786
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 444 A
, H01L 29/78 371
, H01L 29/78 613 B
