特許

J-GLOBAL ID：201103006340814241

隆起したソース及びドレインを有する高性能MOSFET素子及びその形成方法

発明者： トシハル・フルカワ ,  マーク・シィ・ヘイキー ,  スティーブン・ジェイ・ホルメス ,  デビッド・ブイ・ホラック ,  ウィリアム・エイチ・マ ,  ジャック・エイ・マンデルマン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028936
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274478
特許番号：特許第3301062号
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板と、両側の側壁及び底部を有する前記基板内のトレンチと、前記底部の両側に形成された前記底部の段差領域と、前記トレンチの前記側壁及び前記底部上の誘電層と、前記誘電層により前記基板から分離される、前記トレンチ内の導体と、第1の厚さを有し、各々が前記トレンチの前記両側の側壁のいずれかに隣接する前記基板内の拡散層と、各々が前記拡散層の1つから、前記側壁の1つに沿って、前記トレンチの前記底部の一部または前記段差領域の下側に延び、前記第1の厚さよりも小さな第2の厚さを有する前記基板内の拡散伸張部分とを含み、前記トレンチの前記底部上の誘電層が電界効果トランジスタのゲート絶縁膜として機能し、前記導体が電界効果トランジスタのゲート電極として機能し、前記拡散層および拡散伸張部分が電界効果トランジスタのソース領域またはドレイン領域となる素子。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (1件)：

H01L 29/78 301 V

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開平2-170551
  
• 特開平1-248557
  
• 特開平2-192168
  
• 特開昭58-153348
  
• 溝型半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-267981   出願人：株式会社リコー
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-274405   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (7件)

• 溝型半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-267981   出願人：株式会社リコー
• 特開平2-170551
  
• 特開平1-248557
  
• 特開昭59-086265
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-274405   出願人：株式会社デンソー
• 特開平2-170551
  
• 特開平1-248557