特許

J-GLOBAL ID：201103006758842942

半導体基板の評価方法及び半導体デバイスの製造方法

発明者： 大槻 剛 ,  三谷 清
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-255788
公開番号（公開出願番号）：特開2011-100909
出願日： 2009年11月09日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】 半導体基板のリーク電流による評価方法において、測定のための構造が単純であっても、安定した測定を行うことができ、デバイス活性領域を感度良く評価することができる半導体基板の評価方法を提供する。【解決手段】 半導体基板をリーク電流により評価する方法であって、少なくとも、前記半導体基板の表面部にPN接合を形成する工程と、前記PN接合による内部電界と同等の第一の電圧V1を前記PN接合に印加してリーク電流を測定し、第一のリーク電流値I1を得る工程と、前記第一の電圧V1よりも高い第二の電圧V2を前記PN接合に印加してリーク電流を測定し、第二のリーク電流値I2を得る工程と、リーク電流値Iを、計算式I=I2-(V2/V1)1/2×I1に従って算出する工程とを含み、前記算出したリーク電流値Iにより前記半導体基板を評価する半導体基板の評価方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板をリーク電流により評価する方法であって、少なくとも、 前記半導体基板の表面部にPN接合を形成する工程と、 前記PN接合による内部電界と同等の第一の電圧V1を前記PN接合に印加してリーク電流を測定し、第一のリーク電流値I1を得る工程と、 前記第一の電圧V1よりも高い第二の電圧V2を前記PN接合に印加してリーク電流を測定し、第二のリーク電流値I2を得る工程と、 リーク電流値Iを、計算式I=I2-(V2/V1)1/2×I1に従って算出する工程と を含み、前記算出したリーク電流値Iにより前記半導体基板を評価することを特徴とする半導体基板の評価方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66

FI (1件)：

H01L21/66 N

Fターム (6件)：

4M106AA01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106CB19 ,  4M106DJ17 ,  4M106DJ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコンウェーハの評価方法及びシリコンウェーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-120703   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体ウエーハの評価方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-333614   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-309740   出願人：株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ