特許
J-GLOBAL ID：200903029141857332

半導体ウエーハの評価方法

発明者：
大槻 剛

大槻 剛 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-333614
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147460
出願日： 2006年12月11日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：
【課題】接合リーク電流測定を、簡単に、より正確に行い、より高精度に半導体ウエーハを評価することができる半導体ウエーハの評価方法を提供する。【解決手段】半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成し、該酸化膜の一部を除去して窓明けを行い、該窓から、評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散し、前記評価する半導体内に拡散部を形成してPN接合を形成した後、0Vバイアス時のリーク電流値I0および逆バイアス印加時のリーク電流値I1を測定し、該逆バイアス印加時のリーク電流値I1と前記0Vバイアス時のリーク電流値I0との差ΔI=I1-I0を算出し、該算出したΔIに基づいて半導体ウエーハを評価する半導体ウエーハの評価方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハ表面に酸化膜を形成し、該酸化膜の一部を除去して窓明けを行い、該窓から、評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散し、前記評価する半導体内に拡散部を形成してPN接合を形成した後、0Vバイアス時のリーク電流値I0および逆バイアス印加時のリーク電流値I1を測定し、該逆バイアス印加時のリーク電流値I1と前記0Vバイアス時のリーク電流値I0との差ΔI=I1-I0を算出し、該算出したΔIに基づいて半導体ウエーハを評価することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
IPC (1件)：
H01L 21/66
FI (1件)：
H01L21/66 N
Fターム (8件)：
4M106AA01 ,  4M106AA13 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106CB19 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20 ,  4M106DJ27
引用特許：
審査官引用 (5件)
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