特許
J-GLOBAL ID：201103006771576593

窒化物系化合物半導体レーザ素子とその製造方法

発明者：
倉本 大

倉本 大 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097903
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294883
特許番号：特許第3496712号
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板上部に形成されたInXGa1-XN(0≦X≦1)からなる活性層と、該活性層の上側に存在する第一のクラッド層の双方ともがメサ型ストライプ構造中に存在しており、該メサ型ストライプ構造の側面に、埋め込み成長により形成された埋み込み層が存在しており、該埋み込み層は、少なくとも、該メサ型ストライプ構造中に存在する前記活性層の側面に対して、前記活性層の半導体材料よりも低屈折率の半導体からなる層が埋め込み成長された構造を有する窒化物系化合物半導体レーザ素子の製造方法において、前記メサ型ストライプ構造の形成工程は、ドライエッチング法を利用して行い、前記活性層を成長する工程と、前記第一のクラッド層を成長する工程と、前記埋め込み層を成長する工程とにおいて、少なくとも、前記活性層を成長する工程の成長温度を、前記第一のクラッド層を成長する工程の成長温度よりも低い温度に選択し、前記埋め込み層を成長する工程において、該メサ型ストライプ構造中に存在する前記活性層の側面に対して、前記活性層の半導体材料よりも低屈折率の半導体からなる層を埋め込み成長する段階では、成長温度を、前記活性層の成長温度よりも100°C高い温度以下の温度に選択することを特徴とする窒化物系化合物半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343 610
FI (2件)：
H01S 5/22 ,  H01S 5/343 610
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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