特許
J-GLOBAL ID：201103007057458303

抵抗変化型メモリ素子、及び、抵抗変化型不揮発性メモリ、並びに、抵抗変化型メモリ素子制御方法

発明者：
寺井 真之

寺井 真之 について

, 
迫坪 行広

迫坪 行広 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-245656
公開番号（公開出願番号）：特開2011-091329
出願日： 2009年10月26日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：
【課題】スイッチング特性のバラツキが小さく高集積化に適した抵抗変化型メモリ素子および抵抗変化型メモリ素子制御方法を提供する。【解決手段】抵抗変化型メモリ素子20は、酸化チタン膜2と酸化ジルコニウム膜3とを有する抵抗変化膜と、前記酸化チタン膜2下に形成された第1の電極1と、前記酸化ジルコニウム膜3上に形成された第2の電極4とを備えている。結晶粒が大きく成長しやすい酸化チタン膜2を薄膜化でき、微結晶の酸化ジルコニウム膜3が平坦であることにより、酸化ジルコニウム/酸化チタン積層膜表面の凹凸を低減することができる。抵抗変化型メモリ素子を微細化した場合に、抵抗変化膜表面の凹凸に起因した素子間の電気特性のバラツキを小さくすることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
酸化チタン膜と酸化ジルコニウム膜とを有する抵抗変化膜と、 前記酸化チタン膜上に形成された第1の電極と、 前記酸化ジルコニウム膜上に形成された第2の電極とを備えていることを特徴とする抵抗変化型メモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3件)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (17件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (3件)

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