特許
J-GLOBAL ID：200903047681285670

抵抗変化型メモリおよびその作製方法

発明者：
角田 浩司

角田 浩司 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-055270
公開番号（公開出願番号）：特開2009-212380
出願日： 2008年03月05日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：
【課題】微細化された抵抗変化素子において、抵抗変化材料膜を、動作の信頼性を確保できる膜厚に維持しつつ、フォーミング電圧を抑制する。【解決手段】抵抗変化型メモリは、一対の電極間に挟まれた抵抗変化層を有する抵抗変化素子で構成される。前記抵抗変化層は、多結晶酸化物膜と、前記多結晶酸化物膜よりも厚いアモルファス酸化物膜との積層を含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
一対の電極間に挟まれた抵抗変化層を有する抵抗変化素子を含む抵抗変化型メモリであって、 前記抵抗変化層は、多結晶酸化物膜と、前記多結晶酸化物膜よりも厚いアモルファス酸化物膜との積層を含むことを特徴とする抵抗変化型メモリ。
IPC (2件)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00
FI (2件)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 B
Fターム (12件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA18 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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