抵抗変化型素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：吉田稔 , 田中達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-280855
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098537
出願日： 2006年10月16日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】所定の動作原理においてバイポーラ型の動作が可能であって記憶素子として利用可能な抵抗変化型素子を提供する。【解決手段】本発明の抵抗変化型素子は、電極1と、電極2と、これら電極1,2間に位置する酸化物層3と、この酸化物層3に接して当該酸化物層3および電極2の間に位置する酸化物層4と、を含む積層構造を有する。酸化物層3は、酸化物層4に酸素イオン5を供与することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層4から酸素イオン5を受容することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。酸化物層4は、酸化物層3から酸素イオン5を受容することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、酸化物層3に酸素イオン5を供与することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1電極と、第2電極と、前記第1電極および前記第2電極の間に位置する第1酸化物層と、前記第1酸化物層に接して当該第1酸化物層および前記第2電極の間に位置する第2酸化物層と、を含む積層構造を有し、前記第1酸化物層は、前記第2酸化物層に酸素イオンを供与することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記第2酸化物層から酸素イオンを受容することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能であり、前記第2酸化物層は、前記第1酸化物層から酸素イオンを受容することによって低抵抗状態から高抵抗状態に変化可能であり、且つ、前記第1酸化物層に酸素イオンを供与することによって高抵抗状態から低抵抗状態に変化可能である、抵抗変化型素子。

IPC (3件)：

H01L 27/10 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (11件)：

5F083FZ10 , 5F083HA10 , 5F083JA21 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA42 , 5F083JA43 , 5F083JA45 , 5F083JA60 , 5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (5件)

国際公開第2003/094227号パンフレット
抵抗変化型メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-059927 出願人：松下電器産業株式会社
抵抗変化機能体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-074113 出願人：シャープ株式会社, 辻博司, 石川順三

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