特許
J-GLOBAL ID：201103007110787322

不揮発性メモリの書き込み回路

発明者：
保高 和夫

保高 和夫 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-081797
公開番号（公開出願番号）：特開2000-276886
特許番号：特許第3796063号
出願日： 1999年03月25日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 データの電気消去及びデータの書き込み読み出しが可能な特性を有し、一定記憶容量の複数ブロックから成る不揮発性メモリと、 該不揮発性メモリに用いられるアドレスデータ及び書き込み用データを組み合わせたデータが供給され、前記不揮発性メモリを構成する1ブロック分の格納容量を有し、所定1ブロック中で書き換えを必要とするデータを格納するバッファ回路と、 前記不揮発性メモリの為のアドレスデータ及び書き込み用データを予め定められた値で組み合わせたデータを用いてデータ消去時間を制御するコマンドデータとしてデコードするコマンドデコーダと、 該コマンドデコーダからの解読結果に応じて、前記不揮発性メモリを構成するセルのデータ消去時間を1ブロック単位で制御する制御回路と、 電気消去用の高電圧を供給する電圧発生回路と、 を備え、 前記制御回路は、前記解読結果に応じて特定ブロックに対する前記電圧発生回路から出力される電気消去用の高電圧印加時間を設定することを特徴とする不揮発性メモリの書き込み回路。
IPC (2件)：
G06F 12/16 ( 200 6.01) ,  G11C 16/02 ( 200 6.01)
FI (3件)：
G06F 12/16 310 C ,  G11C 17/00 612 D ,  G11C 17/00 612 E
引用特許：
審査官引用 (4件)
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